Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (25)

IRF530NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 14А 88Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

7 294 шт

Под заказ:

1 315 шт

Цена от:

от 31,45₽

IRF530NSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 17А 3.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 716 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 51,49₽

IRFB23N15DPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 23А 136Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 108 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 93,28₽

DMG2302U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 594.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

DMG2307L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 760мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 371.3пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2170U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 3.1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 7.8нКл Входная емкость: 303пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCB36N60NTM Транзистор полевой N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

FCP36N60N Транзистор полевой N-канальный 600В 36A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 312Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 112нКл Входная емкость: 4785пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDG327N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6.3нКл Входная емкость: 423пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDG327NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 380мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 412пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQA28N15 Транзистор полевой N-канальный 150В 33А 227Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 52нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQA36P15 Транзистор полевой P-канальный 150В 36А 294Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 36A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 294Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 3320пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF530NSPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 14А 3.8Вт, 0.16 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 3.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 37нКл Входная емкость: 920пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 716 шт

Цена от:

от 51,49₽

IRF7422D2PBF Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.3 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7606TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: MSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFPS43N50KPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 47А 540Вт Производитель: Vishay Корпус: Super-247 (TO-274AA) Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 47A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 540Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 350нКл Входная емкость: 8310пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTGS3441T1G Транзистор полевой P-канальный 20В 1.65A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.65A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PHP18NQ10T,127 Транзистор полевой N-канальный 100В 18A Производитель: NEXPERIA Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 79Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

PHT6NQ10T,135 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7439DP-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"