Одиночные MOSFET транзисторы

33
Сопротивление открытого канала: 9 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (33)
FDD8647L FDD8647L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
620 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 77,52
Акция
FDS6298 FDS6298 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 1.2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
145 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,18
IRF1104PBF IRF1104PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 100А 170Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
2900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
3 681 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 124,20
-8% Акция
IRF7809AVTRPBF IRF7809AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 318 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 65,64
-8% Акция
IRFB3607PBF IRFB3607PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 206 шт

Внешние склады:
15 083 шт
Цена от:
от 18,18
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
830 шт

Внешние склады:
47 250 шт
Цена от:
от 32,94
-8% Акция
IRFP064PBF IRFP064PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 70А 300Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
190нКл
Входная емкость:
7400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
180 шт

Внешние склады:
25 010 шт
Цена от:
от 145,38
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 370 шт

Внешние склады:
11 327 шт
Цена от:
от 30,90
FDB3632 FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 425,28
FDD8880 FDD8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1260пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 47,16
FDP090N10 FDP090N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
116нКл
Входная емкость:
8225пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 280,86
FDP7030BL FDP7030BL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
1760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 040 шт
Цена от:
от 143,16
IRFH5010TRPBF IRFH5010TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
4340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 378 шт
Цена от:
от 94,14
IRFR3504ZTRPBF IRFR3504ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
16 000 шт
Цена от:
от 34,02
IRFS3607TRLPBF IRFS3607TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
19 574 шт
Цена от:
от 43,86
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6) Single Die
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
5185пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 191,28
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 19A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
438 шт
Цена от:
от 53,82
Акция
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3504ZTRL AUIRFR3504ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 77A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFR3607 AUIRFR3607 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
56A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
3070пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4598 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"