FDP7030BL, Транзистор полевой N-канальный 30В 60A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
Транзистор полевой N-канальный 30В 60A
Транзистор полевой N-канальный 30В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDP7030BL
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка800 шт
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FDP7030BL
• Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
• High performance trench technology for extremely low RDS (on)
• 175°C Rated junction temperature
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 60 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 60 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.83мм |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.67 x 4.83 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.67мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 12 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 30 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 9 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 17 нКл при 5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 1760 pF @ 15 V |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара