FQP12P20, Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220
Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A
Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FQP12P20
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто2.82 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FQP12P20
• 100% Avalanche tested
• 31nC Typical gate charge
• 30pF Typical low Crss
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11.5 A |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Максимальное рассеяние мощности | 120 Вт |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Ширина | 4.7 |
| Высота | 9.4мм |
| Размеры | 10.1 x 4.7 x 9.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 10.1мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 20 ns |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 40 нс |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 470 mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 920 pF @ 25 V |
| Тип канала | A, P |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 V, +30 V |
| Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара