Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (14)
BSP149H6327 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.66A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
978 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 187,50
BSP297H6327XTSA1 Транзистор полевой N-канальный 200В 0.66А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 0.66A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
632 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 147,48
BSP298H6327 Транзистор полевой N-канальный 400В 0.5А 1.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 0,5A Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 50,41
CPC3960ZTR Полевой транзистор N-канальный 600В 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Сопротивление открытого канала: 44 Ом Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3050LVT-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 620пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP3098LSD-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SOP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOP-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 65 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 1.8Вт
IRF7606TRPBF Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: MSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 520пФ Тип монтажа: Surface Mount
IRF7607TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A MICRO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: MSOP8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.5A(Ta) Сопротивление открытого канала: 30 мОм @ 6.5А, 4.5В Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 5В Входная емкость: 1310пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
PHT6NQ10T,135 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 633пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2307CDS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.5A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 88 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI2377EDS-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 61 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7464DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 1.8 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7850DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
SI7850DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 6.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 6.2A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 1.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 27нКл Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"