Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (47)

AUIRFS8409-7P Транзистор полевой N-канальный 40В 240А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 460нКл Входная емкость: 13975пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

276 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 1 313,62₽

IPT007N06NATMA1 Полевой MOSFET транзистор N-канальный 60В 300А 8HSOF Производитель: Infineon Technologies Корпус: HSOF8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 300A(Tc) Сопротивление открытого канала: 0.75 мОм @ 150А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В @ 280 µA Заряд затвора: 216нКл @ 10В Входная емкость: 16000пФ @ 30В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

54 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 276,16₽

IRFB3006PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

192 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 199,50₽

IRFB4127PBF Транзистор полевой N-канальный 200В 76А, 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 76A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 5380пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 848 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 156,96₽

IRFB7430PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 460нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

360 шт

Под заказ:

1 540 шт

Цена от:

от 140,98₽

IRFB7530PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 411нКл Входная емкость: 13703пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

180 шт

Под заказ:

280 шт

Цена от:

от 169,96₽

IRFB7730PBF Транзистор полевой N-канальный 75В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 407нКл Входная емкость: 13660пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 101 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 162,56₽

IRFP3006PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 257A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8970пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

36 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 429,27₽

IRFS3006TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 170А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 8970пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

14 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 575,91₽

IRFS4010TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 180А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

26 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 262,23₽

IRFS4115TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм @ 62А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 5270пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

36 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 174,53₽

IRFS7730TRL7PP Транзистор полевой N-канальный 75В 240А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK-7 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 428нКл Входная емкость: 13970пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

2 229 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 184,49₽

IRLB3034PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 375Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 162нКл Входная емкость: 10315пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

446 шт

Под заказ:

260 шт

Цена от:

от 127,10₽

AUIRF3004WL Полевой транзистор N-канальный 40В 386A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 9450пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFB8409 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 450нКл Входная емкость: 14240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFS3006-7P Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 293 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 240A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 300нКл Входная емкость: 8850пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFS4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 9575пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFSL4010 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.7 мОм @ 106А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 215нКл @ 10В Входная емкость: 9575пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRFSL4115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 99A TO262 Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 99A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.1 мОм @ 62А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 5270пФ @ 50В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

AUIRLS3034 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 195A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 195А, 10В Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 162нКл @ 4.5В Входная емкость: 10315пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"