Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (16)
Акция STN2NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 2.4А 0.23 Ом, 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 260 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 716 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 57,20
Акция STN4NF03L Транзистор полевой N-канальный 30В 4А 2.5Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
371 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 26,83
STN1HNK60 Транзистор полевой N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 400мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
7 081 шт

Под заказ:
3 710 шт
Цена от:
от 53,24
STN1NK60Z Транзистор полевой N-канальный 600В 0.25А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 300мА Сопротивление открытого канала: 15 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 6.9нКл Входная емкость: 94пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
27 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 31,94
STN3N40K3 Транзистор полевой N-канальный 400В 1.8A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 400В Ток стока макс.: 1.8A Сопротивление открытого канала: 3.4 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
1 171 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 40,23
Акция STN3NF06L Транзистор полевой N-канальный 60В 4А 3.3Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
138 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 46,53
STN4NF20L Транзистор полевой N-канальный 200В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.9нКл Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
906 шт

Под заказ:
940 шт
Цена от:
от 96,93
AUIRF7759L2TR Полевой транзистор N-канальный 75В 160A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм @ 96А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 12222пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRF7769L2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 375A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET L8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 375A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 74А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 300нКл @ 10В Входная емкость: 11560пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
IRFH8330TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56A 5X6 PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A(Ta),56A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 25 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 1450пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
SI3433CDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Производитель: Vishay Корпус: 6-TSOP Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 3.2A 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3459BDV-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI3459BDV-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 2.9A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.9A Сопротивление открытого канала: 216 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
STN3NF06 Полевой транзистор N-канальный 60В 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount
STN4NF06L Полевой транзистор N-канальный 60В 4A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"