Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

BS250P Транзистор полевой P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 45В Ток стока макс.: 230мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

DMN6140L-7 Транзистор полевой N-канальный 60В 2.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 8.6нКл Входная емкость: 315пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3068L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 3.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 15.9нКл Входная емкость: 708пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC3535 Полевой транзистор, P-канальный, 80 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 183 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2N028Z Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 68 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P029Z Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDFMA2P853 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Diode (Isolated) Пороговое напряжение включения макс.: 1.3В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME510PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME820NZT MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9А, 4.5В Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA Заряд затвора: 8.5нКл @ 4.5В Входная емкость: 865пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDME910PZT Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6(1.6x1.6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 2110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3136PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 3.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.7A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1901пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJS2103PTBG Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 3.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 3.5A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.2V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 1157пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTLJS4114NT1G Транзистор полевой N-канальный 30В 3.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-WDFN (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2301BDS-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.2А 0,9Вт Производитель: Vishay Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 10нКл Входная емкость: 375пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

2 511 шт

Цена от:

от 2,30₽

TSM2301ACX RFG Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Taiwan Semiconductor Co., Ltd Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZVN0124A Полевой транзистор, N-канальный, 240 В, 0.16 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 160мА Сопротивление открытого канала: 16 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Новинка

ZVN2110A Транзистор полевой N-канальный 100В 320мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVN4210A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 450 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

ZVP2106A Транзистор полевой P-канальный 60В 0.28A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 280мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"