Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (387)
IRF7821TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13.6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 9.1 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 526 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 68,82
IRF7828TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 13.6A 8-SO Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13.6A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1010пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
1 200 шт
Цена от:
от 41,38
IRF7832TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.32В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 4310пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
912 шт

Под заказ:
950 шт
Цена от:
от 41,67
IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 8.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 8.3А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.9В @ 100 µA Заряд затвора: 39нКл @ 10В Входная емкость: 1640пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 795 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,47
IRF7862TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 4090пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
50 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 69,72
IRF8714TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 14А 2,5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 8.7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 821 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,27
IRF9321PBF Транзистор полевой P-канальный 30В 15А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
530 шт
Аналоги:
14 965 шт
Цена от:
от 56,06
IRF9321TRPBF Транзистор полевой P-канальный 30В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 2590пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
11 195 шт

Под заказ:
3 770 шт
Аналоги:
530 шт
Цена от:
от 33,63
IRL6342TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 9.9A 2.5Вт 0.0146Ом SO8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.9A Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Наличие:
74 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 29,97
P2003BVG Транзистор полевой N-канальный 30В 8А 2.5Вт Производитель: NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал
Наличие:
116 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 19,13
Акция STN1NF10 Транзистор полевой N-канальный 100В 1A Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 105пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
57 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 23,33
2SK3746-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1500 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 13 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 37.5нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Through Hole
2SK4125-1E Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 17 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 610 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Through Hole
AOB4184 MOSFET N-CH 40V 12A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 10 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 35нКл @ 10В Входная емкость: 1800пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount
AOD403 Полевой транзистор P-канальный 30В 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 5300пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD407 Транзистор полевой P-канальный -60В -12А 115 мОм Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1185пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD409 Транзистор полевой P-канальный 60В 26А 30Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 3600пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD413 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 12 А, 25 Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 24A Сопротивление открытого канала: 45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 14.1нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD413A Транзистор полевой P-канальный 40В 12А 25Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1125пФ Тип монтажа: Surface Mount
AOD4186 Транзистор полевой N-канальный 40В 35А 25Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 15 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1200пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"