Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (12)

Акция

FDB8880 Транзистор полевой N-канальный 30В 54А 11 мОм Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD8880 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 31нКл Входная емкость: 1260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP8880 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 11.6 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1240пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FQP3N30 Транзистор полевой N-канальный 300В 3.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 2.2 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLR8729PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8729TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 58 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 58A Сопротивление открытого канала: 8.9 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 16нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD18N06LT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD2955-1G Транзистор полевой P-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD2955T4G Транзистор полевой P-канальный 60В 12А 55Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVD2955T4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STL13N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В 10A Производитель: ST Microelectronics Корпус: PowerFLAT 8x8 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 420 мОм Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 580пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

WPH4003-1E Полевой транзистор, N-канальный, 1700 В, 2.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3PF Напряжение исток-сток макс.: 1700В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 10.5 Ом Мощность макс.: 55Вт Тип транзистора: N-канал Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 850пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"