Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (10)
IRFI3205PBF IRFI3205PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 64А 63Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
64A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
237 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 139,02
Акция
IRLR8256TRPBF IRLR8256TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 81A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
81A
Сопротивление открытого канала:
5.7 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
1470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
710 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15,12
STFW4N150 STFW4N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
929 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 267,72
FDD390N15A FDD390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26А 63Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18.6нКл
Входная емкость:
1285пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R600C6ATMA1 IPD60R600C6ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
20.5нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD65R600C6BTMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3А TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPP65R225C7XKSA1 IPP65R225C7XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220-3
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
225 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
996пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLI2910PBF IRLI2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
1.3 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STFW3N150 STFW3N150 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2.5A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29.3нКл
Входная емкость:
939пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"