Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (29)

IRFB7440PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

529 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 78,05₽

SPP17N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 17А 208Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

231 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 230,41₽

SPW17N80C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

3 079 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 654,40₽

IPW90R340C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 15A 340мОм TO247-3 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

48 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 652,00₽

IRFS7440TRLPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 120A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

3 961 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 48,67₽

SPP20N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

1 128 шт

Под заказ:

786 шт

Цена от:

от 178,43₽

SPP20N60S5XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

21 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 330,89₽

SPP20N65C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3-1 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

48 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 817,42₽

SPW20N60C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 20.7A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

727 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 189,03₽

SPW20N60CFDFKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 208Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 220 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 124нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

90 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

255 шт

Цена от:

от 685,75₽

Акция

SPW20N60S5FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

28 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 474,20₽

AOD11S60 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO252 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 11A(Tc) Сопротивление открытого канала: 399 мОм @ 3.8А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 11нКл @ 10В Входная емкость: 545пФ @ 100В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FCA20N60_F109 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FCP20N60 Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3080пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP090N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 8225пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP100N10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 75 А, 0.01 Ом Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 7300пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPP90R340C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 900В 15А 208Вт, CoolMOS Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFB7440GPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A TO220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В @ 100 µA Заряд затвора: 135нКл @ 10В Входная емкость: 4730пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS7440PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-263 (DВІPak) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 961 шт

Цена от:

от 48,67₽

IRFSL7440PBF Транзистор полевой N-канальный 40В 120A Производитель: Infineon Technologies Корпус: I2PAK Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 135нКл Входная емкость: 4730пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"