Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (28)

IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 9.9A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 10.4нКл Входная емкость: 653пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

155 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 38,78₽

IRLHS2242TRPBF Транзистор полевой P-канальный 20В 15A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.2A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 877пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

7 987 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 20,37₽

AOB2500L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 11.5A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 11.5A(Ta),152A(Tc) Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA Заряд затвора: 136нКл @ 10В Входная емкость: 6460пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB286L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 13A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 13A(Ta),70A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.3В @ 250 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 3142пФ @ 40В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB290L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 18A(Ta),140A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.1В @ 250 µA Заряд затвора: 126нКл @ 10В Входная емкость: 9550пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOB2910L MOSFET N CH 100V 6A TO263 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6A(Ta),30A(Tc) Сопротивление открытого канала: 23.5 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1190пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD442 Транзистор полевой N-канальный 60В 38А Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 68нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD450 Транзистор полевой N-канальный 200В 3.8А 12Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: D-Pak (TO-252) Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 6В Заряд затвора: 3.82нКл Входная емкость: 215пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD478 Транзистор полевой N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 540пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD498 Транзистор полевой N-канальный 100В 11А 23Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 415пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOL1454 MOSFET N-CH 40V 12A 8ULTRASO Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: UltraSO-8[тм] Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 9 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 250 µA Заряд затвора: 22нКл @ 10В Входная емкость: 1920пФ @ 20В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ060NE2LS Полевой транзистор N-канальный 25В 12A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 670пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ0902NSATMA1 Транзистор полевой N-канальный 30В 21A 8-Pin TSDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2610 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 960пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC2674 Транзистор полевой N-канальный 220В 1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 220В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 366 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 1180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC5614P Транзистор полевой P-канальный 60В 5.7A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1055пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8878 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 26нКл Входная емкость: 1230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT13N06LTF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 6.4нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT13N06TF Транзистор полевой N-канальный 60В 2.8A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.5нКл Входная емкость: 310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQT1N60CTF_WS Транзистор полевой N-канальный 600В 200мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 11.5 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 6.2нКл Входная емкость: 170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"