Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

₉₂₉

Производитель: Diodes Incorporated

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (929)

ZXM64P03XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.8A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

MSOP8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

75 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

825пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXM66P03N8TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.9A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOP8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.25A

Сопротивление открытого канала:

25 мОм

Мощность макс.:

1.56Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

1979пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMC10A816N8TC MOSFET, N & P-CH, 2.1A, 100V, 150°C;

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMC4559DN8TA ZXMC4559DN8 Series 60 V 0.55 Ohm Dual N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOIC-8

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOIC-8

Сообщить о поступлении

ZXMHC3F381N8TC MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.98A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN0545G4TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 140мА

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

450В

Ток стока макс.:

140мА

Сопротивление открытого канала:

50 Ом

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Входная емкость:

70пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A07FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

700мА

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

2.9нКл

Входная емкость:

138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A07ZTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-89-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

700 мОм

Мощность макс.:

1.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

2.9нКл

Входная емкость:

138пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08E6TC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.5A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

250 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

7.7нКл

Входная емкость:

405пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A08GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A09KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

85 мОм

Мощность макс.:

2.15Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1313пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A11KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.4A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

350 мОм

Мощность макс.:

2.11Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5.4нКл

Входная емкость:

274пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10A25GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.9A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.9A

Сопротивление открытого канала:

125 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

859пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN10B08E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-26

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

230 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

9.2нКл

Входная емкость:

497пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN15A27KTC Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.7 А

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Сообщить о поступлении

ZXMN20B28KTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.5A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

1.5A

Сопротивление открытого канала:

750 мОм

Мощность макс.:

2.2Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

8.1нКл

Входная емкость:

358пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A01E6TA Trans MOSFET N-CH 20V 2.5A 6-Pin SOT-23 T/R

Производитель:

Diodes Incorporated

Сообщить о поступлении

ZXMN2A01FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT23-3

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.9A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

625мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

3нКл

Входная емкость:

303пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

ZXMN2A03E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.6A

Производитель:

Diodes Incorporated

Корпус:

SOT-23-6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

8.2нКл

Входная емкость:

837пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении