Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
-5% Акция
IRF7811AVTRPBF IRF7811AVTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1801пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 399 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 108,81
-5% Акция
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 50А 150Вт, 0.024 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
53A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
72нКл
Входная емкость:
1696пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 384 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,19
SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3FKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47А 415Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
415Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
320нКл
Входная емкость:
6800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 358 шт

Внешние склады:
2 702 шт
Цена от:
от 329,38
IRFB4321PBF IRFB4321PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
350Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4460пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 343 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 104,42
Акция
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
160 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 343 шт

Внешние склады:
2 025 шт
Цена от:
от 29,55
BSP295H6327 BSP295H6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.8A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 342 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,92
-5% Акция
IRFP250NPBF IRFP250NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
214Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
123нКл
Входная емкость:
2159пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 334 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 46,86
Акция
IRFR9N20DTRPBF IRFR9N20DTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.4А 86Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
9.4А
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 282 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 56,06
-5% Акция
IRFP3306PBF IRFP3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120А 220Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
220Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 280 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 174,76
BSP296NH6327 BSP296NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.2А 1.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.2A
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Наличие:
1 259 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,06
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 247 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,48
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10.4нКл
Входная емкость:
653пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 236 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,17
IRFP4768PBF IRFP4768PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 93А 520Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
93A
Сопротивление открытого канала:
17.5 мОм
Мощность макс.:
520Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 235 шт

Внешние склады:
514 шт
Цена от:
от 129,43
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
18 мОм @ 8.3А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
39нКл @ 10В
Входная емкость:
1640пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 230 шт

Внешние склады:
685 шт
Цена от:
от 55,12
IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z34NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 229 шт

Внешние склады:
540 шт
Цена от:
от 59,45
Акция
IRF9530NPBF IRF9530NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
58нКл
Входная емкость:
760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 227 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 37,56
-5% Акция
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.6А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
2.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 222 шт

Внешние склады:
18 782 шт
Цена от:
от 14,93
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.7А 42Вт, 0.27 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 213 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 132,20
Акция
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 11А 38Вт, 0.175 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
175 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 208 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 065 шт
Цена от:
от 62,27
Новинка
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
78 мОм
Мощность макс.:
144Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1710пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 197 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 52,35
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"