Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 183A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DBІPAK (TO-263AB)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
183A
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм
Мощность макс.:
290Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
10150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
776 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 155,71
IRF7204TRPBF IRF7204TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
860пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
774 шт

Внешние склады:
400 шт
Цена от:
от 60,54
-5% Акция
IPD50R800CEAUMA1 IPD50R800CEAUMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 550В 7.6A 0.8Ом DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
550В
Ток стока макс.:
7.6А
Сопротивление открытого канала:
0.8Ом
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
763 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,39
IRFP1405PBF IRFP1405PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 95А 310Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
95A
Сопротивление открытого канала:
5.3 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
5600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
752 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 159,12
-5% Акция
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 0.9А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
6.8нКл
Входная емкость:
88пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
751 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 15,53
-5% Акция
IRF3805STRL-7PP IRF3805STRL-7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 160A D2PAK-7
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK-7
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
160A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.6 мОм @ 140А, 10В
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
200нКл @ 10В
Входная емкость:
7820пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
730 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 214,97
IRF8910TRPBF IRF8910TRPBF Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А, 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10А
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
725 шт

Внешние склады:
1 880 шт
Цена от:
от 48,63
-5% Акция
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
5A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
600 мОм @ 2.9А, 10В
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
23нКл @ 10В
Входная емкость:
300пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
725 шт

Внешние склады:
40 шт
Аналоги:
16 597 шт
Цена от:
от 50,81
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
720 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 48,71
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
31 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
704 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 69,96
IRFS3206TRRPBF IRFS3206TRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
3 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
6540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
701 шт

Внешние склады:
240 шт
Цена от:
от 217,49
IRF7606TRPBF IRF7606TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
694 шт

Внешние склады:
9 388 шт
Цена от:
от 20,21
IPS70R1K4P7SAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
700В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
681 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,46
IRFR1018ETRPBF IRFR1018ETRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 79A 3-Pin(2+Tab) DPAKлента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
56A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
8.4 мОм @ 47А, 10В
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 100 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
680 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 79,54
IRFB4310PBF IRFB4310PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 130А 300Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
130A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
300Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
250нКл
Входная емкость:
7670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
678 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 127,90
Акция
IRL2505PBF IRL2505PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 104А 200Вт, 0.008 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
104A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
200Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
671 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 177,50
IRLR7807ZTRPBF IRLR7807ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
13.8 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
671 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 шт
Цена от:
от 30,50
AUIRF1405ZSTRL AUIRF1405ZSTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 330Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75А
Мощность макс.:
330Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
669 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 266,93
Акция
IRFP4568PBF IRFP4568PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 171А 517Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247AC
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
171A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
517Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
227нКл
Входная емкость:
10470пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
669 шт

Внешние склады:
687 шт
Цена от:
от 168,87
IRFH5406TRPBF IRFH5406TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
14.4 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1256пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
653 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 137,00
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"