Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
Акция
IRF7457PBF IRF7457PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7458PBF IRF7458PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
2410пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7463TRPBF IRF7463TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 14A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 14А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 4.5В
Входная емкость:
3150пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7465PBF IRF7465PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
280 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 441 шт
Цена от:
от 32,94
Акция
IRF7468PBF IRF7468PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9.4A
Сопротивление открытого канала:
15.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
2460пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
262 шт
Цена от:
от 204,03
Акция
IRF7469PBF IRF7469PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9А 2.5Вт, 0.012 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 502 шт
Цена от:
от 43,75
IRF7470PBF IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
6 071 шт
Цена от:
от 114,74
Акция
IRF7473PBF IRF7473PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
3180пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7476TRPBF IRF7476TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
15A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 15А, 4.5В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 4.5В
Входная емкость:
2550пФ @ 6В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7478PBF IRF7478PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1740пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 257 шт
Цена от:
от 48,90
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 217A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DirectFET[тм] Isometric ME
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
217A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
185нКл
Входная емкость:
6680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7488TRPBF IRF7488TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 6.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
57нКл
Входная емкость:
1680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7490PBF IRF7490PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.4A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7490TRPBF IRF7490TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.4A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
1720пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7492PBF IRF7492PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7492TRPBF IRF7492TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7А 2.5Вт, 0.079 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
79 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
1820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7493PBF IRF7493PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.2А 2.5Вт, 0.015 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
9.3A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 267 шт
Цена от:
от 58,78
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"