Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

₂₁₉₁

Производитель: Infineon Technologies

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (2191)

IRFS4510TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DВІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

61A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

13.9 мОм @ 37А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В @ 100 µA

Заряд затвора:

87нКл @ 10В

Входная емкость:

3180пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS4610PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 73А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

73A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

190Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

3550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

951 шт

Цена от:

от 162,18₽

IRFS4615PBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 33 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS4620PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 24А 144Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

24A

Сопротивление открытого канала:

77.5 мОм

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1710пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

645 шт

Цена от:

от 90,26₽

IRFS52N15DPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

51A

Сопротивление открытого канала:

32 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

89нКл

Входная емкость:

2770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS52N15DTRRP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 51A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

51A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

32 мОм @ 36А, 10В

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 250 µA

Заряд затвора:

89нКл @ 10В

Входная емкость:

2770пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS5615TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

33A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

42 мОм @ 21А, 10В

Мощность макс.:

144Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

5В @ 100 µA

Заряд затвора:

40нКл @ 10В

Входная емкость:

1750пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS59N10DPBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение сток-исток макс.:

100V

Ток стока макс.:

59A

Сопротивление открытого канала:

25 mOhm

Мощность макс.:

3.8W

Тип транзистора:

N-Channel

Пороговое напряжение включения макс.:

5.5V

Заряд затвора:

114nC

Входная емкость:

2450pF

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS7430-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240А 375Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

240A

Сопротивление открытого канала:

0.75 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

460нКл

Входная емкость:

13975пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7434TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 240A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

240A

Сопротивление открытого канала:

1 мОм

Мощность макс.:

245Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

315нКл

Входная емкость:

10250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7434TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.6 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

294Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В @ 250 µA

Заряд затвора:

324нКл @ 10В

Входная емкость:

10820пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS7437-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 231Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

225нКл

Входная емкость:

7437пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

446 шт

Цена от:

от 123,94₽

IRFS7437PBF Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRFS7437TRLPBF MOSFET, N-CH, 40V, 195A, D2-PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Сообщить о поступлении

Акция

IRFS7440PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-263 (DВІPak)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2.5 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.9В

Заряд затвора:

135нКл

Входная емкость:

4730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 413 шт

Цена от:

от 43,36₽

IRFS7530-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

240A

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В

Заряд затвора:

354нКл

Входная емкость:

12960пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7530TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

240A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.4 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 250 µA

Заряд затвора:

354нКл @ 10В

Входная емкость:

12960пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7534TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

195A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

2.4 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

294Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 250 µA

Заряд затвора:

279нКл @ 10В

Входная емкость:

10034пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7537TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

173A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм @ 100А, 10В

Мощность макс.:

230Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 150 µA

Заряд затвора:

210нКл @ 10В

Входная емкость:

7020пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFS7540TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 110A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

110A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.1 мОм @ 65А, 10В

Мощность макс.:

160Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Standard

Пороговое напряжение включения макс.:

3.7В @ 100 µA

Заряд затвора:

130нКл @ 10В

Входная емкость:

4555пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"