- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Microchip Technology Inc.
41
Производитель:
Microchip Technology Inc.
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (41)
TP2520N8-G
Trans MOSFET P-CH Si 200V 0.26A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 298,84₽
TP2540N8-G
D-MOSFET, P-CH, -0.125A, -400V, TO-243AA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-125mA; Drain Source Voltage Vds:-400V; On Resistance Rds(on):19ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage V
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 249,39₽
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 453,57₽
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 136,64₽
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 72,84₽
VP2450N8-G
Trans MOSFET P-CH Si 500V 0.16A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 290,17₽
2N7000-G
Транзистор полевой N-канальный 60В 200мА
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
34 256 шт
Цена от:
от 3,81₽
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-247 [B]
Напряжение сток-исток макс.:
1200В (1.2kВ)
Ток стока макс.:
8A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.5 Ом @ 3А, 10В
Мощность макс.:
335Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 1mA
Заряд затвора:
80нКл @ 10В
Входная емкость:
2565пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN2540N3-G
MOSFET, N CH, 400V, 0.12A, TO-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Powe
Производитель:
Microchip Technology Inc.
DN3135K1-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 350В 0.072A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
350В
Ток стока макс.:
72мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
35 Ом @ 150mА, 0В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Depletion Mode
Входная емкость:
120пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
DN3545N3-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 0.136А 0.74Вт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
136мА
Мощность макс.:
0.74Вт
Тип транзистора:
N-канальный
MIC94053YC6-TR
Транзистор полевой MOSFET Р-канальный серия MIC94053 6В 84мОм 270мВт
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOT-363
TC1550TG-G
Полевой транзистор N/P-канальный 500В 8-Pin SOIC N лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
SOIC8
TN2510N8-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.73A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
730мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TN2524N8-G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
360мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
6 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TP0610T-G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.12A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-236AB (SOT23)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
10 Ом @ 200mА, 10В
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
60пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
TP2510N8-G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.48A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 лента на катушке
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Корпус:
TO-243AA (SOT89)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
480мА(Tj)
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом @ 750mА, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 1mA
Входная емкость:
125пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара