- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PMF370XN,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.87A 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
870мА
Сопротивление открытого канала:
440 мОм
Мощность макс.:
560мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
0.65нКл
Входная емкость:
37пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PMG85XP,115
2A 20V 375mW 1 P-Channel 1.15V 115mOhm@4.5V,2A TSSOP-6-1.3mm MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PMGD280UN,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.87A 6-Pin TSSOP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
6-TSSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
0.87A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
PMGD290UCEAX
MOSFET, N / P CH, 20V/20V, SOT-363; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:725mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
NEXPERIA
PMH1200UPEH
MOSFET, P-CH, -30V, -0.52A, DFN0606; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-520mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-
Производитель:
NEXPERIA
PMH550UNEH
MOSFET, N-CH, 30V, 0.77A, DFN0606; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:770mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
Производитель:
NEXPERIA
PMK35EP,518
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 14.9A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT96-1 (SO8)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.9A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
6.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт
Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
389 шт
Цена от:
от 25,31₽
PMN120ENEAX
MOSFET, N-CH, 60V, 3.1A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Powe
Производитель:
NEXPERIA
PMN16XNEX
MOSFET, N-CH, 20V, 6.9A, SOT-457-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650m
Производитель:
NEXPERIA
PMN230ENEX
60V 2A 222mOhm@10V,1.6A 1.14W 2.7V 1 N-Channel SOT-457 MOSFETs ROHS
Производитель:
NEXPERIA
PMN25ENEAX
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Di
Производитель:
NEXPERIA
PMN280ENEAX
MOSFET, N-CH, 100V, 1.2A, TSOP-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.285ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V;
Производитель:
NEXPERIA
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара