Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA

736
Производитель: NEXPERIA
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
-5% Акция
PMV32UP,215 PMV32UP,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4А 0.93Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Наличие:
79 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,30
Акция
BSP225,115 BSP225,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 225мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
225мА
Сопротивление открытого канала:
15 Ом
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
90пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
47 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 34,41
BUK9M15-60EX BUK9M15-60EX Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive 8-Pin LFPAK EP T/R
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 100 шт
Цена от:
от 25,91
PHD9NQ20T,118 PHD9NQ20T,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 8.7A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
8.7A
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
88Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24нКл
Входная емкость:
959пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
146 шт
Цена от:
от 106,72
PMF170XP,115 PMF170XP,115 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1A 3-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 1А, 4.5В
Мощность макс.:
290мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.15В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.9нКл @ 4.5В
Входная емкость:
280пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
147 шт
Цена от:
от 13,35
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 MOSFET,N CH,60V,44A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0123ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Diss
Производитель:
NEXPERIA
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 246,01
PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-25MLC,115 MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK33
Напряжение сток-исток макс.:
25V
Ток стока макс.:
70A (Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.8 mOhm @ 25A, 10V
Мощность макс.:
88W
Тип транзистора:
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15V @ 1mA
Заряд затвора:
37.7nC @ 10V
Входная емкость:
2432pF@ 12.5V
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 914 шт
Цена от:
от 343,82
2N7002,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.3A 3-Pin TO-236AB лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.3A
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
428 997 шт
Цена от:
от 0,58
2N7002AK-QR
Производитель:
NEXPERIA
2N7002BKM,315 2N7002BKM,315 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.45A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-883
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
0.6нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ MOSFET, N-CH, 60V, 0.72A, DFN1110D;
Производитель:
NEXPERIA
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR MOSFET, N CH, 60V, 0.19A, TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Po
Производитель:
NEXPERIA
2N7002NXBKR 2N7002NXBKR MOSFET, N CH, 60V, 0.27A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Po
Производитель:
NEXPERIA
2N7002P,235 2N7002P,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.36A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
360мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
0.8нКл
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
2N7002PV,115 2N7002PV,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.35A автомобильного применения 6-Pin SOT-666 лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT666
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.35A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
BSH103,235 BSH103,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.85А 0.75Вт
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
850мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
540мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ
Заряд затвора:
2.1нКл
Входная емкость:
83пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 846 шт
Цена от:
от 24,31
BSH105,235 BSH105,235 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.05A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.05A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
417мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
570mВ
Заряд затвора:
3.9нКл
Входная емкость:
152пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 238 шт
Цена от:
от 17,53
BSH111BKR BSH111BKR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 0.21A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
0.21A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
BSH202,215 BSH202,215 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 520мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23 (TO-236AB)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
520мА
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
417мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
2.9нКл
Входная емкость:
80пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
BSN20.215 BSN20.215 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 173мА
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
173мА
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: