- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN018-80YS,115
MOSFET,N CH,80V,45A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissi
Производитель:
NEXPERIA
PSMN020-100YS,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
43A
Сопротивление открытого канала:
20.5 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
2210пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN025-100D,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 47A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
25 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Заряд затвора:
61нКл @ 10В
Входная емкость:
2600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN026-80YS,115
MOSFET, N CH, 80V, 34A, SOT669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power D
Производитель:
NEXPERIA
PSMN027-100PS,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
37A
Сопротивление открытого канала:
26.8 мОм
Мощность макс.:
103Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1624пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN028-100YS,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
27.5 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
33нКл
Входная емкость:
1634пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN030-150B,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 55.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
55.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN030-60YS,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
29A
Сопротивление открытого канала:
24.7 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
686пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN034-100PS,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
34.5 мОм
Мощность макс.:
86Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
23.8нКл
Входная емкость:
1201пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN039-100YS,115
MOSFET,N CH,100V,28.1A,LFPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28.1A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0308ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Производитель:
NEXPERIA
PSMN045-80YS,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
12.5нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN069-100YS,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
72.4 мОм
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
645пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN070-200P,127
Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 35 А
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара