- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN075-100MSEX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK33
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
71 мОм
Мощность макс.:
65Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
16.4нКл
Входная емкость:
773пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN0R7-25YLDX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 300A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
300A
Сопротивление открытого канала:
0.72 мОм
Мощность макс.:
158Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
110.2нКл
Входная емкость:
8320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN102-200Y,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 21.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
21.5A
Сопротивление открытого канала:
102 мОм
Мощность макс.:
113Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
30.7нКл
Входная емкость:
1568пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN1R0-30YLDX
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):790µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.75V;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN1R0-40SSHJ
MOSFET, N CH, 40V, 325A, 375W, LFPAK88; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:325A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00088ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs
Производитель:
NEXPERIA
PSMN1R0-40YLDX
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):930µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V;
Производитель:
NEXPERIA
PSMN1R1-30PL,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB лента
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
1.3 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
243нКл
Входная емкость:
14850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN1R2-25YL,115
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
121Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
6380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
NEXPERIA
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара