- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы NEXPERIA
736
Производитель:
NEXPERIA
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (736)
PSMN1R7-60BS,118
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
306Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
9997пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN1R8-30PL,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
270Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
170нКл
Входная емкость:
10180пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN1R8-40YLC,115
Транзистор MOSFET N-канальный 40V 100A 272W LFPAK56 (PowerSO-8)
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
PSMN2R0-25MLDX
MOSFET, N-CH, 25V, 70A, SOT-1210-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.00186ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.65
Производитель:
NEXPERIA
PSMN2R0-25YLDX
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, SOT-669-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.00182ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6
Производитель:
NEXPERIA
PSMN2R0-30PL,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм
Мощность макс.:
211Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.15В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
6810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN2R0-60ES,127
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK лента
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
338Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
9997пФ
Тип монтажа:
Through Hole
PSMN2R4-30MLDX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 70A 8-Pin LFPAK EP лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK33
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
3264пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN2R4-30YLDX
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
106Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В
Заряд затвора:
31.3нКл
Входная емкость:
2256пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара