- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
FCH060N80-F155
Производитель: ON Semiconductor
FCH067N65S3-F155
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба
Производитель: ON Semiconductor
FCH072N60F
Транзистор полевой N-канальный 600В 52A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 52A
Сопротивление открытого канала: 72 мОм
Мощность макс.: 481Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 215нКл
Входная емкость: 8660пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCH104N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-247
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 37A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 139нКл @ 10В
Входная емкость: 5950пФ @ 100В
Тип монтажа: Through Hole
FCH22N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 22A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 205Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCH25N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 25A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 25A
Сопротивление открытого канала: 126 мОм
Мощность макс.: 216Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 74нКл
Входная емкость: 3352пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
FCH35N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 35A TO-247
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 35A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В
Мощность макс.: 312.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 181нКл @ 10В
Входная емкость: 6640пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FCH35N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 35A TO-247
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 35A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 98 мОм @ 17.5А, 10В
Мощность макс.: 312.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 181нКл @ 10В
Входная емкость: 6640пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FCH47N60F-F133
Транзистор полевой N-канальный 600В 47A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 8000пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCH47N60NF
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 45.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 45.8A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 368Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 157нКл
Входная емкость: 6120пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCH47N60_F133
Транзистор полевой N-канальный 600В 47A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-247
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 47A
Сопротивление открытого канала: 70 мОм
Мощность макс.: 417Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 270нКл
Входная емкость: 8000пФ
Тип монтажа: Through Hole
Новинка
![]()
FCI25N60N_F102
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A, 216Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-262
FCI25N60N_F102
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A, 216Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-262
FCMT299N60
MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: Power88
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 12A(Ta)
Сопротивление открытого канала: 299 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 51нКл @ 10В
Входная емкость: 1948пФ @ 380В
Тип монтажа: Surface Mount
FCMT360N65S3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10A 4-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель: ON Semiconductor
Новинка
![]()
FCP067N65S3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
FCP067N65S3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
FCP104N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 37A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 82нКл @ 10В
Входная емкость: 4165пФ @ 380В
Тип монтажа: Through Hole
FCP104N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 37A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 5В @ 250 µA
Заряд затвора: 145нКл @ 10В
Входная емкость: 6130пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
FCP11N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1490пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP11N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1490пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
FCP11N60F
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1490пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP11N60F
Транзистор полевой N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1490пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP11N60N
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10.8A
Сопротивление открытого канала: 299 мОм
Мощность макс.: 94Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 35.6нКл
Входная емкость: 1505пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP125N65S3R0
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: ON Semiconductor
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара