Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (1202)

NTD3055-150T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 150 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 280пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L104-1G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-251 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NTD3055L104T4G Транзистор полевой N-канальный 60В 12A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 104 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD3055L170T4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NTD4804NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 19.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.5A Сопротивление открытого канала: 4 мОм Мощность макс.: 1.43Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 4490пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4809NT4G Транзистор полевой N-канальный 30В 9.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.6A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1456пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4858NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 11.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 11.2A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 19.2нКл Входная емкость: 1563пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD4969NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 41 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NTD5802NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 16.4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 16.4A Сопротивление открытого канала: 4.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 5025пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5862NT4G Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 98 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 98A Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм Мощность макс.: 115Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 82нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5865NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 40A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 46A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 52Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD5867NLT4G Транзистор полевой N-канальный 60В 18A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 36Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 675пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6414ANT4G Транзистор полевой N-канальный 100В 32A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 100Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 40нКл Входная емкость: 1450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1024пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6416ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 19A(Tc) Сопротивление открытого канала: 74 мОм @ 19А, 10В Мощность макс.: 71Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 40нКл @ 10В Входная емкость: 1000пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTDV20P06LT4G Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 15.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

NTE4151PT1G Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 760мА Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 313мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ Заряд затвора: 2.1нКл Входная емкость: 156пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTE4153NT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-89 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 915мА Сопротивление открытого канала: 230 мОм Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.82нКл Входная емкость: 110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF2955T1G Транзистор полевой P-канальный 60В 1.7А 1Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1.7A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 14.3нКл Входная емкость: 492пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF3055-100T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 455пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении