- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1202)
FCP13N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 13A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 13A
Сопротивление открытого канала: 258 мОм
Мощность макс.: 116Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 39.5нКл
Входная емкость: 1765пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP16N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 16A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 199 мОм
Мощность макс.: 134.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52.3нКл
Входная емкость: 2170пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP20N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 208Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 3080пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP22N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 22A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 205Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
FCP36N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 36A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 112нКл
Входная емкость: 4785пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP36N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 36A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 312Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 112нКл
Входная емкость: 4785пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP4N60
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.9 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 3.9A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.6нКл
Входная емкость: 540пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCP9N60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 9A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 9A
Сопротивление открытого канала: 385 мОм
Мощность макс.: 88.3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1240пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF11N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 11A TO220F
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 36Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 52нКл
Входная емкость: 1490пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF11N60T
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A TO-220F
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Тип транзистора: N-канал
FCPF16N60
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 16 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 260 мОм
Мощность макс.: 37.9Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 70нКл
Входная емкость: 2250пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF16N60NT
Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 16A
Сопротивление открытого канала: 199 мОм
Мощность макс.: 35.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 52.3нКл
Входная емкость: 2170пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF190N60E
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20.6A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Заряд затвора: 82нКл
Входная емкость: 3175пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF20N60
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 0.15 Ом, 39Вт
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 20A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 98нКл
Входная емкость: 3080пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF22N60NT
Транзистор полевой N-канальный 600В 22A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 22A
Сопротивление открытого канала: 165 мОм
Мощность макс.: 39Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1950пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF400N80Z
Транзистор полевой N-канальный 800В 11A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 400 мОм
Мощность макс.: 35.7Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 2350пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF7N60
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 31Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 920пФ
Тип монтажа: Through Hole
FCPF850N80Z
Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 850 мОм
Мощность макс.: 28.4Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 29нКл
Входная емкость: 1315пФ
Тип монтажа: Through Hole
Акция
![]()
FCPF9N60NT
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
FCPF9N60NT
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-220F
FDA032N08
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A TO-3P
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 75В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 3.2 мОм @ 75А, 10В
Мощность макс.: 375Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Standard
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA
Заряд затвора: 220нКл @ 10В
Входная емкость: 15160пФ @ 25В
Тип монтажа: Through Hole
FDA16N50_F109
Транзистор полевой N-канальный 500В 16.5A
Производитель: ON Semiconductor
Корпус: TO-3P
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 16.5A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 205Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 1945пФ
Тип монтажа: Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара