Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDB060AN08A0 FDB060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
255Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
5150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 294,04
FDB075N15A FDB075N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
130A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм @ 100А, 10В
Мощность макс.:
333Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
100нКл @ 10В
Входная емкость:
7350пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 154,40
FDB12N50TM FDB12N50TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 11.5A D2PAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
11.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 952 шт
Цена от:
от 71,59
FDB1D7N10CL7 FDB1D7N10CL7 MOSFET'S - SINGLE;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 447,73
FDB20N50F FDB20N50F MOSFET, N-CH, 20A, 500V, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 251,18
FDB2552 FDB2552 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
2800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 324,82
FDB2710 FDB2710 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7280пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 832,22
FDB28N30TM FDB28N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
129 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 71,59
FDB3502 FDB3502 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
815пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 94,97
FDB3632 FDB3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
6000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 237,08
FDB390N15A FDB390N15A Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 27 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 292,43
FDB44N25TM FDB44N25TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 44A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DBІPAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
69 мОм
Мощность макс.:
307Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
61нКл
Входная емкость:
2870пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 84,69
-6% Акция
FDB8453LZ FDB8453LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50А 7 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16.1A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
25 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 29,12
FDB86102LZ FDB86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1275пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
1 600 шт
Цена от:
от 106,30
FDB86363-F085 Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2PAK
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
800 шт
Цена от:
от 324,83
-6% Акция
FDB8880 FDB8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 54А 11 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.6 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,29
FDBL0090N40 FDBL0090N40 40V 240A 357W MO-299A
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 302,39
FDBL0110N60 FDBL0110N60 MOSFET, N-CH, 60V, 300A, 175°C, 429W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 464,01
FDBL0240N100 FDBL0240N100 MOSFET, N-CH, 100V, 210A, 175°C, 300W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 414,97
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 MOSFET PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 488,61
На странице: