Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDBL86063-F085 FDBL86063-F085 MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, H-PSOF-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 556,73
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, H-PSOF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:185A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 307,03
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 300A автомобильного применения 9-Pin(8+Tab) TO-LL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
300А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 447,19
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 MOSFET, AEC-Q101, NCH, 220A, 80V, H-PSOF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:220A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 182,78
FDBL86566-F085 FDBL86566-F085 MOSFET'S - SINGLE;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 309,48
FDBL9401-F085T6 FDBL9401-F085T6 MOSFET, N-CH, 40V, 240A, 175DEGC, 180.7W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 509,85
FDBL9403-F085T6 FDBL9403-F085T6 MOSFET, N-CH, 40V, 300A, 175°C, 159.6W;
Производитель:
ON Semiconductor
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 000 шт
Цена от:
от 160,96
FDC2512 FDC2512 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 1.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
425 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
344пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 14,30
FDC2612 FDC2612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
725 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
234пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 28,61
FDC602P FDC602P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1456пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,19
FDC604P FDC604P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1926пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,14
FDC606P FDC606P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1699пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 9,64
FDC634P FDC634P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
779пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 31,94
FDC637AN FDC637AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1125пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 25,43
FDC638P FDC638P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
48 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 51,60
FDC640P FDC640P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
53 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 14,19
FDC642P FDC642P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
925пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,82
FDC654P FDC654P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
298пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,65
FDC655BN FDC655BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 070 шт
Цена от:
от 15,18
FDC855N FDC855N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.1A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
655пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 31,56
На странице: