Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

FDD770N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

77 мОм

Мощность макс.:

56.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

765пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 50,90₽

FDD7N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

690 мОм

Мощность макс.:

43Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6.7нКл

Входная емкость:

250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 42,86₽

FDD7N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

600В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1.25 Ом

Мощность макс.:

90Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

730пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 94,31₽

FDD8444 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 145A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

145A

Сопротивление открытого канала:

5.2 мОм

Мощность макс.:

153Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

6195пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 51,29₽

FDD86102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

1035пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

31 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 64,84₽

FDD86102LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 698 шт

Цена от:

от 51,47₽

FDD86110 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

12.5A

Сопротивление открытого канала:

10.2 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

2265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 166,49₽

FDD86113LZ MOSFET, N-CH, 5.5A, 100V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 55,28₽

FDD86250 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

33нКл

Входная емкость:

2110пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 531 шт

Цена от:

от 76,69₽

FDD86250-F085 MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 150V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0194ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 120,54₽

FDD86367 MOSFET'S - SINGLE;

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 77,21₽

FDD86369 N-Channel 80V 90A 150W Surface Mount DPAK(TO-252)

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 120,79₽

FDD86369-F085 MOSFET Transistor 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 94,22₽

FDD86567-F085 MOSFET, AEC-Q101, NCH, 100A, 60V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 156,72₽

FDD8880 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

31нКл

Входная емкость:

1260пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

5 000 шт

Цена от:

от 37,44₽

FDD9510L-F085 МОП-транзистор 40В P-Chnl Power Trench Mosfet

Производитель:

ON Semiconductor

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 41,74₽

FDFS2P106A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

714пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 500 шт

Цена от:

от 594,27₽

FDH055N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

158A

Сопротивление открытого канала:

5.9 мОм

Мощность макс.:

429Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

120нКл

Входная емкость:

9445пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

330 шт

Цена от:

от 315,28₽

FDH44N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 44A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-247

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

44A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

750Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

108нКл

Входная емкость:

5335пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

210 шт

Цена от:

от 525,24₽

FDM3622 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

4.4A

Сопротивление открытого канала:

60 мОм

Мощность макс.:

900мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

1090пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 72,10₽