Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
-5% Акция
2V7002WT1G 2V7002WT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
1.6 Ом
Мощность макс.:
280мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
0.7нКл
Входная емкость:
24.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
5 566 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 3,77
2N7002ET1G 2N7002ET1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 260мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Наличие:
5 177 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
229 шт
Цена от:
от 2,40
FDD6637 FDD6637 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 35В 55А 3.1Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
35В
Ток стока макс.:
55А
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
P-канальный
Наличие:
4 423 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 56,30
-5% Акция
BUZ11_NR4941 BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 233 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 70,62
Акция
BVSS138LT1G BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 127 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,83
-5% Акция
BVSS123LT1G BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 141 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,81
NTR5105PT1G NTR5105PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный -60В -211мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1мА
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
2 905 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,38
NTR4503NT1G NTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.73Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 887 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,01
FDN337N FDN337N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2,2А 0.054 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 730 шт

Внешние склады:
1 130 шт
Цена от:
от 8,65
Акция
FDN335N FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 668 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,52
Акция
NTJS3151PT2G NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 3.3А, 4.5В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ @ 100 µA
Заряд затвора:
8.6нКл @ 4.5В
Входная емкость:
850пФ @ 12В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,79
-5% Акция
NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,59
NTE4153NT1G NTE4153NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 915мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-89
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
915мА
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
1.82нКл
Входная емкость:
110пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 568 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 11,46
FDS9435A FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
528пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 515 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 30,40
-5% Акция
FDS6690A FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 384 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,75
-5% Акция
FDC638APZ FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 361 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,28
-5% Акция
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 354 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,74
FDS9431A FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 213 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 60,55
-5% Акция
2N7000TA 2N7000TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
2 212 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
13 829 шт
Цена от:
от 4,45
-5% Акция
FDT439N FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 155 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,80
На странице: