Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1639
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1639)
FDN5618P FDN5618P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.25А 0.17 Ом, 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23 (SuperSOT-3)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.25A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
13.8нКл
Входная емкость:
430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 199 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 301 шт
Цена от:
от 10,71₽
Акция
BVSS138LT1G BVSS138LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 200мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
3.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 127 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,22₽
-5% Акция
BUZ11_NR4941 BUZ11_NR4941 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 30А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
4 033 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 64,33₽
NTS4101PT1G NTS4101PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SC-70-3 (SOT323)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.37A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
329мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
9нКл
Входная емкость:
840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 523 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,54₽
-5% Акция
BVSS123LT1G BVSS123LT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА, 0.225Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Входная емкость:
20пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 141 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 1,65₽
NTGS4111PT1G NTGS4111PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.6А 2Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
630мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 130 шт

Внешние склады:
81 шт
Цена от:
от 23,65₽
NTR5105PT1G NTR5105PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный -60В -211мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1мА
Тип транзистора:
P-канал
Наличие:
2 905 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,01₽
NTR4503NT1G NTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 0.73Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 887 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,61₽
Акция
FDN335N FDN335N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
3-SSOT
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
460мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5нКл
Входная емкость:
310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 647 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,31₽
-5% Акция
NTR1P02LT1G NTR1P02LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.3А 0.4Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.3A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.25В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
225пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 575 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 12,82₽
Акция
NTJS3151PT2G NTJS3151PT2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.7А 0.625Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 3.3А, 4.5В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
400mВ @ 100 µA
Заряд затвора:
8.6нКл @ 4.5В
Входная емкость:
850пФ @ 12В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 541 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 7,10₽
FDS9435A FDS9435A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.3А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.3A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
528пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 503 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 28,65₽
-5% Акция
FDS6690A FDS6690A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
1205пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 384 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 27,09₽
-5% Акция
NTR4501NT1G NTR4501NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.2А 1.25Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 344 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 9,79₽
-5% Акция
FDC638APZ FDC638APZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
43 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 327 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 6,63₽
FDS9431A FDS9431A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 2.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
130 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 213 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 57,07₽
-5% Акция
NTMFS5844NLT1G NTMFS5844NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11.2A 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11.2А
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
2 104 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,59₽
-5% Акция
FDT439N FDT439N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.3А 3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.3A
Сопротивление открытого канала:
45 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 045 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 10,17₽
-5% Акция
NTD18N06LT4G NTD18N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
675пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 993 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 49,19₽
-5% Акция
NDS0610 NDS0610 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 120мА, 0.3Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
79пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 819 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 4,05₽
На странице: