Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
2SK3745LS-1E 2SK3745LS-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F-3FS
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK3746-1E 2SK3746-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P-3L
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK3747-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK3748-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF-3
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
7 Ом
Мощность макс.:
3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK4125-1E 2SK4125-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P-3L
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
610 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263-2
Напряжение сток-исток макс.:
1500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
13 Ом
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
37.5нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
2SK793 2SK793 Полевой транзистор, N-канальный, 850В 5А 150Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3P
2V7002LT3G 2V7002LT3G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.115A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
115мА
Сопротивление открытого канала:
7.5 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
48 866 шт
Цена от:
от 2,57
ATP114-TL-H ATP114-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A ATPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
55A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
16 мОм @ 28А, 10В
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
92нКл @ 10В
Входная емкость:
4000пФ @ 20В
Тип монтажа:
Surface Mount
ATP301-TL-H ATP301-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
73нКл
Входная емкость:
4000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BBS3002-DL-1E BBS3002-DL-1E МОП-транзистор МОП-транзистор PCH 4V DRIVE SERIES
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Акция
BS107A BS107A Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 0.25 А, 0.35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
BS107ARL1G BS107ARL1G Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 250 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
BS108ZL1G BS108ZL1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.25А 0.35Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92/formed lead
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
250мА
Сопротивление открытого канала:
8 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BS170_D26Z BS170_D26Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 121 шт
Цена от:
от 5,17
BS170_D27Z BS170_D27Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 121 шт
Цена от:
от 4,93
BS170_D74Z BS170_D74Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500MA TO-92
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Тип транзистора:
N-канальный
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 121 шт
Цена от:
от 4,93
BS170_D75Z BS170_D75Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
830мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
24 121 шт
Цена от:
от 4,93
BS270_D74Z BS270_D74Z Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 400 мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
BSS123L BSS123L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
21.5пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
627 790 шт
Цена от:
от 0,64
На странице: