- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FCD9N60NTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
92.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
17.8нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
75А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FCH041N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 76A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
76A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
595Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
360нКл
Входная емкость:
14365пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH060N80-F155
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 56A TO247
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
56А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
44А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FCH22N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 22A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
22A
Сопротивление открытого канала:
165 мОм
Мощность макс.:
205Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH25N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 25A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
25A
Сопротивление открытого канала:
126 мОм
Мощность макс.:
216Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
3352пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60F-F133
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 47A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
417Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
270нКл
Входная емкость:
8000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCH47N60NF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 45.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
45.8A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
368Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
157нКл
Входная емкость:
6120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCMT299N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 12A POWER88
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power88
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
299 мОм @ 6А, 10В
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
51нКл @ 10В
Входная емкость:
1948пФ @ 380В
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
10А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Новинка
FCP067N65S3
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
44А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FCP104N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 37A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
82нКл @ 10В
Входная емкость:
4165пФ @ 380В
Тип монтажа:
Through Hole
FCP104N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
37A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
104 мОм @ 18.5А, 10В
Мощность макс.:
357Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
145нКл @ 10В
Входная емкость:
6130пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCP11N60
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.38 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FCP11N60F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 0.32 Ом, 125Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
380 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
52нКл
Входная емкость:
1490пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCP11N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
299 мОм
Мощность макс.:
94Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
35.6нКл
Входная емкость:
1505пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FCP125N65S3R0
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
24А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FCP16N60N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
199 мОм
Мощность макс.:
134.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
52.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара