Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

FDB035AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

22A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

124нКл

Входная емкость:

6400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB035N10A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

7295пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

15265пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB050AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

5 мОм

Мощность макс.:

245Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

80нКл

Входная емкость:

3900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB070AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7 мОм

Мощность макс.:

175Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

3000пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB075N15A-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A D2PAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

130А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

800 шт

Цена от:

от 154,40₽

FDB082N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 117A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

117A

Сопротивление открытого канала:

8.2 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

6040пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB110N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 92A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

92A

Сопротивление открытого канала:

11 мОм

Мощность макс.:

234Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

61нКл

Входная емкость:

4510пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB120N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 74A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

74A

Сопротивление открытого канала:

12 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5605пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 62A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

10.9A

Сопротивление открытого канала:

13.5 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB14N30TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 14A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

300В

Ток стока макс.:

14A

Сопротивление открытого канала:

290 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

25нКл

Входная емкость:

1060пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

15 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

69нКл

Входная емкость:

4760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB15N50 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

500В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

380 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB16AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1857пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2532 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 79A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

107нКл

Входная емкость:

5870пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2572 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

54 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

1770пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB2614 MOSFET N-канал 200В/62А/0.022 Ом DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK

Сообщить о поступлении

FDB3652 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 61A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

16 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

53нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB3682 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-263AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

36 мОм

Мощность макс.:

95Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1250пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDB52N20TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 52A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DBІPAK

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

52A

Сопротивление открытого канала:

49 мОм

Мощность макс.:

357Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

63нКл

Входная емкость:

2900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении