Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

FDC5614P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

759пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC5661N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19нКл

Входная емкость:

763пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC608PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.8A

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC610PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

42 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1005пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC637BNZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

6.2A

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

895пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC642P-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 000 шт

Цена от:

от 19,82₽

FDC645N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

26 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC653N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC658P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

50 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

750пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD13AN06A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A D-PAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

FDD14AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

11.6 мОм

Мощность макс.:

125Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

32нКл

Входная емкость:

2810пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD18N20LZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В DPAK-3

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD24AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7.1A

Сопротивление открытого канала:

19 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD2670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.6A

Сопротивление открытого канала:

130 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

43нКл

Входная емкость:

1228пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD26AN06A0-F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 7A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) TO-252AA лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

7А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD306P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 6.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-3

Напряжение сток-исток макс.:

12В

Ток стока макс.:

6.7A

Сопротивление открытого канала:

28 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

1290пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3510H Транзистор полевой MOSFET N/P-канальный 80В 4.3A/2.8A DPAK

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-252-4L

Напряжение сток-исток макс.:

80В

Ток стока макс.:

4.3А/2.8А

Тип транзистора:

P-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3706 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 14.7А 3.8Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

14.7A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1.6Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

1882пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD390N15A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 26А 63Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

26A

Сопротивление открытого канала:

40 мОм

Мощность макс.:

63Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

18.6нКл

Входная емкость:

1285пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD3N40TM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

400В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

3.4 Ом

Мощность макс.:

30Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

6нКл

Входная емкость:

225пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении