- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDD6630A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6%
Акция
FDD6635
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 35В 59А 0.010 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
35В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
FDD6637
Полевой транзистор, P-канальный, 35 В, 55 А, 3.1 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
FDD6670A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6680AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6688
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 84 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
FDD6690A
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
12 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N25TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1.1 Ом
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50FTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
1.15 Ом
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
19.8нКл
Входная емкость:
960пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
900 мОм @ 3А, 10В
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
16.6нКл @ 10В
Входная емкость:
9400пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD6N50TM-F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
89Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
16.6нКл
Входная емкость:
9400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD7N25LZTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 6.2A DPAK-3
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
6.2A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
550 мОм @ 3.1А, 10В
Мощность макс.:
56Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
16нКл @ 10В
Входная емкость:
635пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8444L_F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
153Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
5530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8445
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 70A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
59нКл
Входная емкость:
4050пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8451
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
990пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86252
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
FDD86326
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
1035пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86540
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
21.5A
Сопротивление открытого канала:
4.1 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
90нКл
Входная емкость:
6340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD86581-F085
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 25A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
25А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD8778
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35А 14 мОм
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
39Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
845пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара