Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDG328P FDG328P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
145 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
337пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG332PZ FDG332PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDG6317NZCEBU
Производитель:
ON Semiconductor
FDH038AN08A1 FDH038AN08A1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH047AN08A0 FDH047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
4.7 мОм
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
138нКл
Входная емкость:
6600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDH3632 FDH3632 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45A TO-247
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
45А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDH45N50F_F133 FDH45N50F_F133 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 45A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
45A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
625Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
137нКл
Входная емкость:
6630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDI045N10A_F102 FDI045N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.5 мОм
Мощность макс.:
263Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
5270пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDI150N10 FDI150N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-262-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDL100N50F FDL100N50F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
2500Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
238нКл
Входная емкость:
12000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDMA291P FDMA291P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA420NZ FDMA420NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
935пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
FDMA430NZ FDMA430NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA520PZ FDMA520PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 7.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1645пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA7670 FDMA7670 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-MLP (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1360пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA86108LZ FDMA86108LZ MOSFET, N-CH, 100V, 2.2A, WDFN;
Производитель:
ON Semiconductor
FDMA86151L
Производитель:
ON Semiconductor
FDMA905P FDMA905P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-MLP (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
3405пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA908PZ FDMA908PZ MOSFET -12V Single P-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: