- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDMS0309AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A PT8
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
21A(Ta),49A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.5 мОм @ 21А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 1mA
Заряд затвора:
47нКл @ 10В
Входная емкость:
3000пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS0312S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
2820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS10C4D2N
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
17А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
218А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS2672
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.7A
Сопротивление открытого канала:
77 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2315пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS2734
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
122 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2365пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3500
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 9.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9.2A
Сопротивление открытого канала:
14.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
91нКл
Входная емкость:
4765пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3572
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 8.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
16.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
2490пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3660AS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A/30A 8-Pin Power 56 EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A,30A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм @ 13А, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3660S
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage
Производитель:
ON Semiconductor
FDMS3662
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 49А 0.148 Ом, 104Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
PQFN 5x6 mm
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.9A
Сопротивление открытого канала:
14.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
75нКл
Входная емкость:
4620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS3672
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
2680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS6673BZ
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 15.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
15.2A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
5915пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7556S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
1.2 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
133нКл
Входная емкость:
8965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7558S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
119нКл
Входная емкость:
7770пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7560S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 30A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
1.45 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
93нКл
Входная емкость:
5945пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7570S
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 28A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
1.95 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4515пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7580
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7620S
MOSFET 2N-канальный 30В POWER56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-MLP (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS7650
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
36A
Сопротивление открытого канала:
0.99 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
209нКл
Входная емкость:
14965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара