Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Chassis Mount (8)
Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

FDN304P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1312пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN304PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.4А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

2.4A

Сопротивление открытого канала:

52 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

1310пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN338P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 1.6А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

1.6A

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

6.2нКл

Входная емкость:

451пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

6 016 шт

Цена от:

от 3,59₽

FDN339AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3А 0.5Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

35 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN342P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

80 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

9нКл

Входная емкость:

635пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN361BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

1.4A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

1.8нКл

Входная емкость:

193пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN5630 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-23 (SuperSOT-3)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

460мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

29 194 шт

Цена от:

от 5,58₽

FDN5632N_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

1.7A

Сопротивление открытого канала:

82 мОм

Мощность макс.:

1.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

12нКл

Входная емкость:

475пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDN8601 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

3-SSOT

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

109 мОм

Мощность макс.:

600мВт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

5нКл

Входная емкость:

210пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP020N06B_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

268нКл

Входная емкость:

20930пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP027N08B-F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 80В 223A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

ON Semiconductor

Сообщить о поступлении

FDP030N06 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.2 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

151нКл

Входная емкость:

9815пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP030N06B_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

205Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

99нКл

Входная емкость:

8030пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP045N10A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

263Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

5270пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP047AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

310Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

138нКл

Входная емкость:

6600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP047N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 120A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

120A

Сопротивление открытого канала:

4.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

210нКл

Входная емкость:

15265пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP060AN08A0 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 80A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

75В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

255Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

95нКл

Входная емкость:

5150пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP075N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 130A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

333Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

7350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP083N15A_F102 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 83A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220-3

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

83A

Сопротивление открытого канала:

8.3 мОм

Мощность макс.:

231Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

84нКл

Входная емкость:

6040пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

FDP090N10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

208Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

8225пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении