- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FDP100N10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75А 0.01 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
7300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP10N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
185Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1475пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP12N60NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
240Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1676пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP150N10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 57A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
69нКл
Входная емкость:
4760пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP150N10A-F102
MOSFET, N-CH, 100V, 50A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Pow
Производитель:
ON Semiconductor
FDP150N10A_F102
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
15 мОм
Мощность макс.:
91Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP16AN08A0
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 58A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
1857пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FDP18N20F
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
145 мОм @ 9А, 10В
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
26нКл @ 10В
Входная емкость:
1180пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP20N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
230 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
59.5нКл
Входная емкость:
3120пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP24N40
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 24A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
24A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
175 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
227Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
60нКл @ 10В
Входная емкость:
3020пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2572
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 29A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
54 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1770пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP26N40
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 26A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
26А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
FDP2710
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 50A TO-220
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
50A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
42.5 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
260Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
5В @ 250 µA
Заряд затвора:
101нКл @ 10В
Входная емкость:
7280пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP3632
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 80A TO-220AB
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A(Ta),80A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 80А, 10В
Мощность макс.:
310Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
110нКл @ 10В
Входная емкость:
6000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FDP3672
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 105В 41A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
105В
Ток стока макс.:
5.9A
Сопротивление открытого канала:
33 мОм
Мощность макс.:
135Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP3682
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
95Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP42AN15A0
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
42 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
39нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP55N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
37нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FDP5N50NZ
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
78Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
440пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара