Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

₁₆₃₈

Производитель: ON Semiconductor

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (1638)

FDS5680 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

1850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6375 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 8A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

36нКл

Входная емкость:

2694пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6570A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

15A

Сопротивление открытого канала:

7.5 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4700пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6574A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

105нКл

Входная емкость:

7657пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6575 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 10A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

13 мОм

Мощность макс.:

1.2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

4951пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6576 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 11A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

14 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

4044пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6612A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.4A

Сопротивление открытого канала:

22 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7.6нКл

Входная емкость:

560пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6630A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

6.5A

Сопротивление открытого канала:

38 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

7нКл

Входная емкость:

460пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6670AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13.5A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

38нКл

Входная емкость:

1540пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6675BZ Полевой транзистор, P-канальный, 30 В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6679 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 13 А

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8

Сообщить о поступлении

FDS6680AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1240пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6692A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

11.5 мОм

Мощность макс.:

1.47Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS6699S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8433A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

47 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

28нКл

Входная емкость:

1130пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8449 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7.6A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

7.6A

Сопротивление открытого канала:

29 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

11нКл

Входная емкость:

760пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86106 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 3.4A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.4A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

4нКл

Входная емкость:

208пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86140 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.2A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

11.2A

Сопротивление открытого канала:

9.8 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2580пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS86252 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

150В

Ток стока макс.:

4.5A

Сопротивление открытого канала:

55 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

15нКл

Входная емкость:

955пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDS8638 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

4.3 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

5680пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении