- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQD4N25TM_WS
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3A
Сопротивление открытого канала:
1.75 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
5.6нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD4P25TM-WS
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 3.1A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3.1А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD4P25TM_WS
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 3.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
2.1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD4P40TM
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 400В 2.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
3.1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD5N15TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
800 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
230пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD5N20LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 3.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
6.2нКл
Входная емкость:
325пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD6N25TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 4.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
4.4A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD6N40CTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
625пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD6N50CTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD7N10LTM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
6нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD7N30TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 300В 5.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
300В
Ток стока макс.:
5.5A
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD7P06TM
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
451 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
8.2нКл
Входная емкость:
295пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD8P10TM_F085
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 6.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
6.6A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
470пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQD9N25TM
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 7.4A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
7.4A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FQH8N100C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1000В 8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247
Напряжение сток-исток макс.:
1000В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
1.45 Ом
Мощность макс.:
225Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
70нКл
Входная емкость:
3220пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQI13N50CTU
Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 13 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
FQI27N25TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 25.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
25.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
65нКл
Входная емкость:
2450пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQI4N80TU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
I2PAK
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
3.6 Ом
Мощность макс.:
3.13Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQL40N50
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO264
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
460Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
200нКл
Входная емкость:
7500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQN1N50CTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 380мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
380мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
890мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
195пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара