- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
FQPF10N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
610 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2096пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF11N40C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 10.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
400В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
530 мОм
Мощность макс.:
44Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1090пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF12N60C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 12А 51Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
51Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
63нКл
Входная емкость:
2290пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF12P10
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 8.2А 75Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
FQPF13N06L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
24Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF13N10
Полевой транзистор, N-канальный, 100В 8.7А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FQPF13N50CF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 13А 48Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
540 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
2055пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF15P12
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 120В 15A TO-220F
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
120В
Ток стока макс.:
15A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
200 мОм @ 7.5А, 10В
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
38нКл @ 10В
Входная емкость:
1100пФ @ 25В
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF16N25C
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 15.6 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
FQPF18N50V2
Полевой транзистор, N-канальный, 500В 18А 69Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FQPF19N10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.6A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 11.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
11.8A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF19N20C
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 19A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
19A
Сопротивление открытого канала:
170 мОм
Мощность макс.:
43Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
1080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF20N06
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
590пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF20N06L
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 15.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15.7A
Сопротивление открытого канала:
55 мОм
Мощность макс.:
30Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
630пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF22P10
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13.2A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
45Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
FQPF22P10T
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 13А 45Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
FQPF27P06
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
47Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
43нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF2N80YDTU
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
6.3 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQPF33N10
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара