Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
MCH3484-TL-W MCH3484-TL-W МОП-транзистор NCH 0.9V DRIVE SERIE
Производитель:
ON Semiconductor
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Транзистор полевой N-канальный 20В 2.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
-6% Акция
MMBF0201NLT1G MMBF0201NLT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
300мА
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
45пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MMBF170 MMBF170 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
300мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
40пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
325 317 шт
Цена от:
от 1,57
MMSF3P02HDR2G MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.6A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MTB50P03HDLT4G MTB50P03HDLT4G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
100нКл
Входная емкость:
4900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MTD3055V MTD3055V Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
MTD3055VL MTD3055VL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
-6% Акция
MTP2P50EG MTP2P50EG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 500В 2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1183пФ
Тип монтажа:
Through Hole
MVSF2N02ELT1G MVSF2N02ELT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.8A SOT23
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.8A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
85 мОм @ 3.6А, 4.5В
Мощность макс.:
1.25Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.5нКл @ 4В
Входная емкость:
150пФ @ 5В
Тип монтажа:
Surface Mount
NCV8403BDTRKG NCV8403BDTRKG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 42В 15А 53мОм со встроенной защитой
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
42В
Ток стока макс.:
15А
Сопротивление открытого канала:
53мОм
Тип транзистора:
N-канальный
NCV8413DTRKG NCV8413DTRKG POWER LOAD SW, LOW SIDE, -40 TO 150DEGC;
Производитель:
ON Semiconductor
NCV8440ASTT1G NCV8440ASTT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 59В 2.6A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
59В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
1.69Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В
Заряд затвора:
4.5нКл
Входная емкость:
155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDB6030PL Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 30 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (D2Pak)
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
25 mOhm
Тип транзистора:
P-Channel
Особенности:
Logic Level Gate
Входная емкость:
1570pF
Тип монтажа:
Surface Mount
NDB6060L NDB6060L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 48A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
48A
Сопротивление открытого канала:
20 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
2000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDD04N60ZT4G NDD04N60ZT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDDP010N25AZT4H Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
420 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±30В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NDF06N60ZG NDF06N60ZG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
1.2 Ом
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
1107пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDF10N60ZH NDF10N60ZH Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220FP
Напряжение сток-исток макс.:
600V
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
750 mOhm
Мощность макс.:
39W
Тип транзистора:
N-Channel
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5V
Заряд затвора:
68nC
Входная емкость:
1645pF
Тип монтажа:
Through Hole
NDFP03N150CG MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220
Производитель:
ON Semiconductor
На странице: