- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor
1638
Производитель:
ON Semiconductor
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NTD6414ANT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 32A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
37 мОм
Мощность макс.:
100Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
1450пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6415ANLT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1024пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6416ANLT4G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 19A DPAK
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
19A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
74 мОм @ 19А, 10В
Мощность макс.:
71Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
40нКл @ 10В
Входная емкость:
1000пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
NTDV20P06LT4G
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 15.5 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
NTGS3433T1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 2.35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
2.35A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTGS3455T1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
500мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTHD3101FT1G
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
7.4нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTHL020N120SC1
МОП-транзистор 20MW 1200V
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-247-3
Напряжение сток-исток макс.:
1200В
Ток стока макс.:
103А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Through Hole
NTHS4166NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTHS5404T1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
18нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-канальный 20В 2.3A 6-WDFN
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLJF4156NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-WDFN (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
70 мОм
Мощность макс.:
710мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
6.5нКл
Входная емкость:
427пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTLUS3A90PZTBG
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 3 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
6-UDFN (1.6x1.6)
NTMFS4823NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6.9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.9A
Сопротивление открытого канала:
10.6 мОм
Мощность макс.:
860мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
795пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTMFS4833NT1G
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
5-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
910мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
88нКл
Входная емкость:
5600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара