Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N05SM9A RFD16N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
72Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD3055LE RFD3055LE Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
107 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11.3нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD3055LESM9A RFD3055LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
107 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11.3нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFP12N10L RFP12N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SBSS84LT1G SBSS84LT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 50В 0.13A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
130мА
Сопротивление открытого канала:
10 Ом
Мощность макс.:
225мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.2нКл
Входная емкость:
36пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SFS9620 SFS9620 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
SFS9630 SFS9630 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 4.4 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
SFT1345-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3443DV SI3443DV Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
SI4435DY SI4435DY Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 8.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8N
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
8.8A
Сопротивление открытого канала:
20 mOhm
Мощность макс.:
1W
Тип транзистора:
P-Channel
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3V
Заряд затвора:
24nC
Входная емкость:
1604pF
Тип монтажа:
Surface Mount
SMP3003-DL-1E SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
13400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SSN1N45BTA SSN1N45BTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4.25 Ом
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SVD5865NLT4G SVD5865NLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 10A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
3.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
WPH4003-1E WPH4003-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
1700В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: