Одиночные MOSFET транзисторы ON Semiconductor

1638
Производитель: ON Semiconductor
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (1638)
NVTFS5820NLTWG NVTFS5820NLTWG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 37A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
11.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
1462пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTFS5826NLTAG NVTFS5826NLTAG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 20A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
24 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4502PT1G NVTR4502PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.95A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.13A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.5A
Сопротивление открытого канала:
110 мОм
Мощность макс.:
420мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
7нКл
Входная емкость:
135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD12N06RLESM9A RFD12N06RLESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
18A
Сопротивление открытого канала:
63 мОм
Мощность макс.:
49Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD14N05L RFD14N05L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
670пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFD14N05SM9A RFD14N05SM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
14A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
40нКл
Входная емкость:
570пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N05LSM9A RFD16N05LSM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
50В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
80нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD16N06LESM9A RFD16N06LESM9A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 16A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
1350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
RFD3055LE RFD3055LE Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
107 мОм
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11.3нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Through Hole
RFP12N10L RFP12N10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
60Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
SFS9620 SFS9620 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 3 А, 28 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
Акция
SFS9630 SFS9630 Полевой транзистор, P-канальный, 200 В, 4.4 А, 35 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220F
SFT1345-TL-H Транзистор полевой MOSFET P-канальный
Производитель:
ON Semiconductor
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SI3443DV SI3443DV Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 4.4 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Micro6[тм](TSOP-6)
SMP3003-DL-1E SMP3003-DL-1E Транзистор полевой MOSFET P-канальный 75В 100A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-263 (DВІPak)
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
8 мОм
Мощность макс.:
90Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
280нКл
Входная емкость:
13400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SSN1N45BTA SSN1N45BTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 500мА
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4.25 Ом
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
240пФ
Тип монтажа:
Through Hole
WPH4003-1E WPH4003-1E Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1700В 2.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение сток-исток макс.:
1700В
Ток стока макс.:
2.5A
Сопротивление открытого канала:
10.5 Ом
Мощность макс.:
55Вт
Тип транзистора:
N-канал
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
850пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице: