Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STP34NM60ND
Транзистор полевой N-канальный 600В 29A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 29A
Сопротивление открытого канала: 110 мОм
Мощность макс.: 210Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 80.4нКл
Входная емкость: 2785пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP35N65M5
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 160 Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 27A
Сопротивление открытого канала: 98 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 83нКл
Входная емкость: 3750пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP35NF10
Транзистор полевой N-канальный 100В 40А 115Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 55нКл
Входная емкость: 1550пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP36N55M5
Транзистор полевой N-канальный 550В 33A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 550В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 62нКл
Входная емкость: 2670пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP36NF06
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 30 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STP36NF06FP
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 18 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 18A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 690пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP38N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 95 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 71нКл
Входная емкость: 3000пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3LN62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 386пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3N62K3
Транзистор полевой N-канальный 620В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 620В
Ток стока макс.: 2.7A
Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 13нКл
Входная емкость: 385пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3N80K5
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 2.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2.5A
Сопротивление открытого канала: 3.5 Ом
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 9.5нКл
Входная емкость: 130пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3NK50Z
Транзистор полевой N-канальный 500В 2,3А 3,3Ом 45Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 2.3A
Сопротивление открытого канала: 3.3 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±30В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3NK60Z
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 11.8нКл
Входная емкость: 311пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3NK60ZFP
Транзистор полевой N-канальный 600В 2.4A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
Мощность макс.: 20Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 11.8нКл
Входная емкость: 311пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP3NK90Z
Транзистор полевой N-канальный 900В 3A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 900В
Ток стока макс.: 3A
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 22.7нКл
Входная емкость: 590пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP40N60M2
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 34 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 34A
Сопротивление открытого канала: 88 мОм
Мощность макс.: 250Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 57нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP40NF10
Транзистор полевой N-канальный 100В 50A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
STP40NF20
Транзистор полевой N-канальный 200В 40A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 40A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 160Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 75нКл
Входная емкость: 2500пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP42N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 190Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 33A
Сопротивление открытого канала: 79 мОм
Мощность макс.: 190Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 100нКл
Входная емкость: 4650пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP45N10F7
Транзистор полевой N-канальный 100В 45A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 45A
Сопротивление открытого канала: 18 мОм
Мощность макс.: 60Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 1640пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.