Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STP75NS04Z
Полевой транзистор, N-канальный, 33 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 33В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 11 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 50нКл
Входная емкость: 1860пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP7N52K3
Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 6.2 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 525В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 980 мОм
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 737пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP7N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 13.4нКл
Входная емкость: 360пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP7N95K3
Транзистор полевой N-канальный 950В 7.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 950В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 1.35 Ом
Мощность макс.: 150Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 1031пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP7NK40ZFP
Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.4 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 400В
Ток стока макс.: 5.4A
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 535пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP7NK80Z
Транзистор полевой N-канальный 800В 5.2A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 5.2A
Сопротивление открытого канала: 1.8 Ом
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 56нКл
Входная емкость: 1138пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP7NM80
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 1.05 Ом
Мощность макс.: 90Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 18нКл
Входная емкость: 620пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80N10F7
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 10 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 45нКл
Входная емкость: 3100пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80N6F6
Полевой транзистор, N-канальный, 60 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STP80NF06
Транзистор полевой N-канальный 60В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3850пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55
Транзистор полевой N-канальный 55В 80А 0,008Ом 300Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STP80NF55-06
Транзистор полевой N-канальный 55В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 189нКл
Входная емкость: 4400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55-06FP
Транзистор полевой N-канальный 55В 60A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 60A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 189нКл
Входная емкость: 4400пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80NF55L-06
Транзистор полевой N-канальный 55В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 136нКл
Входная емкость: 4850пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP80PF55
Полевой транзистор P-канальный 55В 80А 0,018Ом 300Вт
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
STP85NF55
Транзистор полевой N-канальный 55В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 55В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 8 мОм
Мощность макс.: 300Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 150нКл
Входная емкость: 3700пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP8N80K5
Транзистор полевой N-канальный 800В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 16.5нКл
Входная емкость: 450пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP8NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 790 мОм
Мощность макс.: 45Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 14нКл
Входная емкость: 364пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP95N4F3
Транзистор полевой N-канальный 40В 80A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 80A
Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм
Мощность макс.: 110Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 54нКл
Входная емкость: 2200пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP9NK70Z
Полевой транзистор, N-канальный, 700 В, 7.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1370пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.