Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
-
Сортировать по:
STP9NK70Z
Полевой транзистор, N-канальный, 700 В, 7.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 115Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1370пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP9NK70ZFP
Полевой транзистор, N-канальный, 700 В, 7.5 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220F
Напряжение исток-сток макс.: 700В
Ток стока макс.: 7.5A
Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом
Мощность макс.: 35Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 68нКл
Входная емкость: 1370пФ
Тип монтажа: Through Hole
STP9NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 6.5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 6.5A
Сопротивление открытого канала: 745 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17.4нКл
Входная емкость: 452пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ1HNK60R-AP
Транзистор полевой N-канальный 600В 400мА
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 400мА
Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
Заряд затвора: 10нКл
Входная емкость: 156пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ1NK60ZR-AP
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 0.3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 300мА
Сопротивление открытого канала: 15 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 6.9нКл
Входная емкость: 94пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ2HNK60ZR-AP
Полевой транзистор N-канальный 600В 0.5A 3-Pin TO-92 лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 500мА
Сопротивление открытого канала: 4.8 Ом
Мощность макс.: 3Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 280пФ
Тип монтажа: Through Hole
STQ3N45K3-AP
Полевой транзистор, N-канальный, 450 В, 600 мА
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO92-3
Напряжение исток-сток макс.: 450В
Ток стока макс.: 600мА
Сопротивление открытого канала: 3.8 Ом
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 6нКл
Входная емкость: 150пФ
Тип монтажа: Through Hole
STS11NF30L
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 30нКл
Входная емкость: 1440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS1NK60Z
Транзистор полевой N-канальный 600В 0.25A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 250мА
Сопротивление открытого канала: 15 Ом
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Заряд затвора: 6.9нКл
Входная емкость: 94пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS3P6F6
Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 3 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Сопротивление открытого канала: 160 мОм
Мощность макс.: 2.7Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 6.4нКл
Входная емкость: 340пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS5NF60L
Транзистор полевой N-канальный 60В 5A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 1250пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS6NF20V
Транзистор полевой N-канальный 20В 6A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ
Заряд затвора: 11.5нКл
Входная емкость: 460пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS7NF60L
Полевой транзистор N-канальный 60В 7.5A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 7.5A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 19.5 мОм @ 3.5А, 10В
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В @ 250 µA
Заряд затвора: 34нКл @ 4.5В
Входная емкость: 1700пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
STS7PF30L
Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7 А
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 7A
Сопротивление открытого канала: 21 мОм
Мощность макс.: 2.5Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 7нКл
Входная емкость: 2600пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STS8DN3LLH5
Полевой транзистор N-канальный 30В 10A 8-Pin SO N лента на катушке
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOIC8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 10A
Тип транзистора: N-канал
STT5N2VH5
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Мощность макс.: 1.6Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 4.6нКл
Входная емкость: 367пФ
Тип монтажа: Surface Mount
STU10NM60N
Транзистор полевой N-канальный 600В 10A
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 550 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 19нКл
Входная емкость: 540пФ
Тип монтажа: Through Hole
STU12N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 8.5А 0.430 Ом
Производитель: ST Microelectronics
Корпус: TO-251
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 8.5A
Сопротивление открытого канала: 430 мОм
Мощность макс.: 70Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 22нКл
Входная емкость: 900пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы ST Microelectronics в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.