Калининград
Ваш город Калининград?
Да Нет, выбрать другой
Корзина

Одиночные MOSFET транзисторы Vishay

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Сортировка
Одиночные MOSFET транзисторы (875)
SIA441DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 40В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 890пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA445EDJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA447DJ-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 12В 12A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 13.5 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 850mВ Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2880пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA447DJ-T4-GE3 Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 12А Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA449DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2140пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA456DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.6 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 1.38 Ом Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 14.5нКл Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA461DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 33 мОм Мощность макс.: 17.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIA483DJ-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-70-6 Single Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 19Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 1550пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIB456DK-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 6.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-75-6L Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 6.3A Сопротивление открытого канала: 185 мОм Мощность макс.: 13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 130пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIB912DK-T1-GE3 Полевой транзистор N-канальный 20В 1.5A 6-Pin PowerPAK SC-75 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SC-75-6L Dual Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 216 мОм @ 1.8А, 4.5В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
Новинка SIDR626LEP-T1-RE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 218A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAK® SO-8 Single Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 218А Тип транзистора: N-канальный
Сообщить о поступлении
Новинка SIDR680DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIE818DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(L) Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 95нКл Входная емкость: 3200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIE822DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(S) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIHB12N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 58нКл Входная емкость: 937пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIHB12N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 380 мОм Мощность макс.: 156Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 1224пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIHB15N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 15 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIHB15N65E-GE3 Полевой транзистор N-канальный 650В 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 15A Тип транзистора: N-канал Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIHB22N60E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 21 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 1920пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
SIHB22N65E-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 22 А Производитель: Vishay Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2415пФ Тип монтажа: Surface Mount
Сообщить о поступлении
На странице:
Сообщите мне о поступлении товара

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Напишите нам

Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями обработки персональных данных и политикой конфиденциальности

Выбор города
  • Абакан
  • Анадырь
  • Архангельск
  • Астрахань
  • Барнаул
  • Белгород
  • Биробиджан
  • Благовещенск
  • Брянск
  • Великий Новгород
  • Владивосток
  • Владикавказ
  • Владимир
  • Волгоград
  • Вологда
  • Воронеж
  • Горно-Алтайск
  • Грозный
  • Екатеринбург
  • Иваново
  • Ижевск
  • Иркутск
  • Йошкар-Ола
  • Казань
  • Калининград
  • Калуга
  • Кемерово
  • Киров
  • Кострома
  • Краснодар
  • Красноярск
  • Курган
  • Курск
  • Кызыл
  • Липецк
  • Магадан
  • Магас
  • Майкоп
  • Махачкала
  • Москва
  • Мурманск
  • Нальчик
  • Нарьян-Мар
  • Нижний Новгород
  • Новосибирск
  • Омск
  • Орёл
  • Оренбург
  • Пенза
  • Пермь
  • Петрозаводск
  • Петропавловск-Камчатский
  • Псков
  • Ростов-на-Дону
  • Рязань
  • Салехард
  • Самара
  • Санкт-Петербург
  • Саранск
  • Саратов
  • Смоленск
  • Ставрополь
  • Сыктывкар
  • Тамбов
  • Тверь
  • Томск
  • Тула
  • Тюмень
  • Улан-Удэ
  • Ульяновск
  • Уфа
  • Хабаровск
  • Ханты-Мансийск
  • Чебоксары
  • Челябинск
  • Черкесск
  • Чита
  • Элиста
  • Южно-Сахалинск
  • Якутск
  • Ярославль